ساخت نمونه اولیه ترانزیستور بومی اثر میدان در روسیه
- روسیه
- اخبار برگزیده
۰
دیدگاه
دانشمندان دانشگاه فنی-الکترونیک سنت‌پترزبورگ روسیه (LETI) موفق شدند تا نخستین نمونه اولیه یک ترانزیستور اثر میدانی، مبتنی‌بر کاربید سیلیکون (SiC) تولید کنند. توان این ترانزیستور ۱/۷ کیلوولت است. پیش از این، نیاز روسیه به ترانزیستورهای کاربید سیلیکون تقریباً بطور کامل توسط تولیدکنندگان خارجی برآورده می‌شد. ترانزیستورهای مذکور بصورت گسترده در صنایع مختلف از جمله تولید رایانه، رایانک (تبلت)، پهپاد، تلفن‌همراه، تجهیزات پزشکی و غیره کاربرد دارند. تولید این ترانزیستور در چارچوب طرح فدرال اولویت ۲۰۳۰ انجام شده است.
-
کد خبر 3328-20250316
دیدگاه کاربران