رونمایی از نخستین فناوری تولید تراشه‌های نیترید گالیوم در ویفرهای ۳۰۰ میلی‌متری در جهان
- اروپا
- خبر فوری
- اخبار
شرکت آلمانی اینفینیون (Infineon) که یکی از فعالان صنعت نیمه‌رساناست، به‌تازگی از تراشه‌های مبتنی‌بر نیترید گالیوم (GaN) رونمایی کرده است که یک پیشرفت نوآورانه در دنیا محسوب می‌شود. نیترید گالیوم به‌عنوان یک ماده نیمه‌رسانا، به دلیل ویژگی‌های خاص مانند کارایی بالا، سرعت عمل بالا، وزن سبک و تحمل شرایط سخت (دما و ولتاژ بالا)، جایگزین مناسبی برای سیلیکون در ساخت بسیاری از قطعات الکترونیکی محسوب می‌شود. یکی از مهم‌ترین دستاوردهای اخیر اینفینیون، تولید موفق تراشه‌های نیترید گالیوم بر روی ویفرهای (wafers) ۳۰۰ میلی‌متری است. این امر به شرکت اجازه می‌دهد تا تعداد بسیار بیشتری تراشه را در هر ویفر تولید کند و در نتیجه، هزینه تولید را به طور قابل‌توجهی کاهش دهد. طبق این دستاورد، استفاده از ویفرهای ۳۰۰ میلی‌متری در مقایسه با ویفرهای ۲۰۰ میلی‌متری، باعث می‌شود تولید تراشه‌های نیترید گالیوم تا ۲.۳ برابر بیشتر شود. کاربرد اصلی تراشه‌های مبتنی‌بر نیترید گالیوم در ساخت شارژرهای کوچک‌تر و کارآمدتر برای دستگاه‌های الکترونیکی قابل‌حمل مانند رایانه‌های کیفی (لپ‌تاپ‌ها)، تلفن‌های هوشمند و خودروهای برقی است. گفتنی‌ست اینفینیون می‌تواند بخش قابل‌توجهی از بازار این نوع تراشه‌ها را با استفاده از دستاورد مذکور به خود اختصاص دهد و به رهبر این بازار با ارزش چندین میلیارد دلار تبدیل شود.
-
کد خبر 3203-20240915
دیدگاه کاربران